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宋丁仪／台北 中芯国际向IBM技术授权的45/40奈米将在2009年底前投产，将是目前大陆晶圆厂制程技术最领先的业者，据了解，大陆晶圆厂也已经将目光延伸到下一世代的32奈米制程技术，不过即便是中芯国际也表示，未来投入32奈米将面对多重的挑战，除了新材料的复杂度，也包括建置更完整的整合单芯片(SoC)平台结合IP与EDA业者通力合作。
随着台积电、联电40/45奈米制程逐渐放量成长，2009第3季起纷纷投产、第4季放量成长，大陆半导体晶圆厂中芯国际也将于年底前放量生产45/40奈米制程芯片。45/40奈米制程充满各种挑战，比起过去几代制程容异空间(window)更窄， 包括台积电都曾传出45/40奈米良率不顺，因此目前45/40奈米制程几乎晶圆厂都全力追赶客户的产能需求。
EDA大厂新思(Synopsys)副总裁潘建岳认为，之前的90奈米和65奈米，自技术开发成熟后，大批量产品上市通常需要2年的时间，但在45奈米世代，快速放量速度已明显出现滞后。而这主要可能是出于新材料HKMG对制程所带来的全新挑战，国际半导体设备暨材料协会(SEMI)中国总裁陆郝安便指出，为提高半导体的性能，越来越多的元素被应用于半导体制程中，HKMG等新材料与新制程技术的应用将帮助半导体! 技术技术发展。
英特尔(Intel)目前是所有半导体业者中制程技术跑在最前端的，2011年则将着手展开10奈米技术的研发。英特尔中国研究院院长方之熙则认为，在追逐摩尔定律的同时，More Than Moore也是重点研究课题之一，未来包括CPU与内存的3D封装将可能是未来的发展方向之一，都也同样面临CPU与内存之间传送速度及管脚限制等挑战。
中芯国际资深研发副总裁季明华则表示，32奈米世代有4个挑战值得注意，1、CMOS逻辑组件与内存件更好地整合。2、SoC面临低功耗的问题等。3、则是3D IC和SiP之间的整合。4、32奈米技术面临巨大的研发成本和制造挑战，需要结合各方资源通力合作，打造技术平台、兼容IP及EDA生态环境等。
至于设备业者也不约而同提出硬件方面的挑战。Cymer东南亚区显影应用总监林思闽说，32奈米对于显影技术来说，意味着如何实现精确的栅极CD控制、线条边缘粗糙度及克服OPC瓶颈；科磊(KLA-Tencor)大陆技术总监任建宇则说，到了32奈米以下，制程技术精度要求将会更为苛刻，测量步骤会更加繁琐。
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