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海力士大规模生产第2代DDR3芯片 2010年DDR3比重提升至50%
萧铮浩/综合外电 全球第2大计算机芯片制造商海力士(Hynix)表示已开始大规模生产第2代1Gb DDR3芯片,能大幅提升节能效率,同时,海力士将提升DDR3的出货比率。
海力士表示第2代1Gb DDR3芯片能节省30%的耗电量,并采用54奈米制程技术制造;海力士希望藉由制造更节能的DDR3芯片,冲刺成长中的DDR3市场。
目前1Gb DDR3芯片于DDR3市场的市占率约为87%,海力士的目标为提供效能最优异的1Gb DDR3芯片。此外,海力士表示将于2009年第4季开始大规模生产2Gb DDR3,采用40奈米制程技术制造,并采取和第2代1Gb DDR3相同的节能设计概念。
海力士希望提升节能技术以响应消费者需求,不论是大型企业的数据中心或笔记本电脑(NB)、手机等小型产品,节能芯片均不可或缺。同时,DDR3芯片为目前市面上具备最优异效能和节能效率的计算机内存芯片,分析师表示DDR3芯片将取代DDR2芯片。
此外,由于DDR2和DDR3芯片价格好转,海力士第3季营运将有好表现,分析师表示海力士的先进技术足以应付越来越多DDR3的需求,而DDR3较高的价格和毛利率能帮助海力士获利;海力士计划2009年底前将制造DDR3芯片的比率提升至50%。 |
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